SLC、MLC、TLC、QLC之区别是什么

Modified on: Sun, 12 Apr 2020 00:53:13 +0800 热度: 2,496 度

SLC、MLC、TLC、QLC之区别是什么?从使用寿命和价格上比较。

1、单层次存储单元SLC = Single-Level Cell,即1bit/cell,速度快寿命最长,价格贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命。

2、双层存储单元MLC = Multi-Level Cell,即

2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---1万次擦写寿命。

3、三层存储单元TLC =Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命最短,价格便宜,约500-1千次擦写寿命。

4、QLC四比特单元(4bits/cell,即每个Cell单元储存4个数据),成本更低,容量更大,但寿命更短(理论可擦写150次),想成为接替TLC的产品还有急需解决的问题。

注:每Cell单元存储数据越多,单位面积容量就越高,但同时导致不同电压状态越多,越难控制,所以导致颗粒稳定性越差,寿命低。各有利弊。

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